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HIPIMS放電等離子體特性
通過脈沖電源產(chǎn)生高密度等離子體來濺射靶材，從而在基材上沉積高質(zhì)量的薄膜。HIPIMS技術(shù)相比于傳統(tǒng)的直流磁控濺射技術(shù)，能夠提供更高的離子化率、更好的薄膜質(zhì)量和更強(qiáng)的薄膜與基底間的附著力。下面我們來探討HIPIMS放電等離子體的主要特性。
磁控濺射有哪些種類?不同種類的工作原理是什么?
磁控濺射作為一種物理 氣相沉積（PVD）技術(shù)，在材料科學(xué)與工程領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它通過結(jié)合電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用，提高了濺射過程中的粒子利用率和沉積效率。磁控濺射可以根據(jù)不同的分類標(biāo)準(zhǔn)分為多種類型，每種類型都有其獨(dú)特的工作原理和適用范圍。以下是一些常見的磁控濺射種類及其工作原理概述：
HIPIMS技術(shù)沉積TiSiN納米復(fù)合涂層探究
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）薄膜沉積方法，它在沉積TiSiN納米復(fù)合涂層方面展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的直流磁控濺射（DCMS）技術(shù)相比，
hipims脈沖電源與DC優(yōu)勢(shì)
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脈沖電源與DC（Direct Current）電源相比，在多個(gè)方面展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)這些優(yōu)勢(shì)的詳細(xì)分析：
hipims脈沖電源控制模式
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脈沖電源控制模式是一種在薄膜沉積技術(shù)中廣泛應(yīng)用電源控制方式。
真空鍍膜時(shí)為什么要用到高純氣體
真空鍍膜時(shí)用到高純氣體的原因，可以歸結(jié)為以下幾點(diǎn)，下面將進(jìn)行詳細(xì)闡述：
一、減少雜質(zhì)影響，提升薄膜質(zhì)量
HIPIMS技術(shù)在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用
HIPIMS技術(shù)，即高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（High Power Impulse Magnetron Sputtering），在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用具有顯著的優(yōu)勢(shì)